maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 71016S20YG
Référence fabricant | 71016S20YG |
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Numéro de pièce future | FT-71016S20YG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
71016S20YG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 1Mb (64K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 20ns |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 44-SOJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71016S20YG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 71016S20YG-FT |
70V26S25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel