maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 71016S20YG
Référence fabricant | 71016S20YG |
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Numéro de pièce future | FT-71016S20YG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
71016S20YG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 1Mb (64K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 20ns |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 44-SOJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71016S20YG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 71016S20YG-FT |
70V26S25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel