maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 71016S12YG
Référence fabricant | 71016S12YG |
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Numéro de pièce future | FT-71016S12YG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
71016S12YG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 1Mb (64K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
Temps d'accès | 12ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 44-SOJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71016S12YG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 71016S12YG-FT |
70V26L35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel