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Référence fabricant | 71016S12YG8 |
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Numéro de pièce future | FT-71016S12YG8 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
71016S12YG8 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 1Mb (64K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
Temps d'accès | 12ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 44-SOJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71016S12YG8 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 71016S12YG8-FT |
70V26L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L25JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L25JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
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EP1S25F1020C7N
Intel