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Référence fabricant | 70V659S12DRGI |
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Numéro de pièce future | FT-70V659S12DRGI |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
70V659S12DRGI Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Taille mémoire | 4.5Mb (128K x 36) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
Temps d'accès | 12ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3.15V ~ 3.45V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 208-BFQFP |
Package d'appareils du fournisseur | 208-PQFP (28x28) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V659S12DRGI Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 70V659S12DRGI-FT |
70V3569S5BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S6BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S6BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S5BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S5BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S6BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S6BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S133BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S166BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel