maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 70V659S12BCI8
Référence fabricant | 70V659S12BCI8 |
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Numéro de pièce future | FT-70V659S12BCI8 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
70V659S12BCI8 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Taille mémoire | 4.5Mb (128K x 36) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
Temps d'accès | 12ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3.15V ~ 3.45V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 256-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 256-CABGA (17x17) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V659S12BCI8 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 70V659S12BCI8-FT |
70T633S12BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T651S10BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T651S12BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T651S12BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T651S12BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T651S12BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T651S15BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T651S15BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T653MS10BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T653MS10BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
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EP4SE360F35C4
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XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
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EP1S25F1020I6N
Intel