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Référence fabricant | 70V657S10DR |
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Numéro de pièce future | FT-70V657S10DR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
70V657S10DR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Taille mémoire | 1.125Mb (32K x 36) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ns |
Temps d'accès | 10ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3.15V ~ 3.45V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 208-BFQFP |
Package d'appareils du fournisseur | 208-PQFP (28x28) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V657S10DR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 70V657S10DR-FT |
70V657S15BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S10BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S10BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S15BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel