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Référence fabricant | 70V657S10DRG |
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Numéro de pièce future | FT-70V657S10DRG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
70V657S10DRG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Taille mémoire | 1.125Mb (32K x 36) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ns |
Temps d'accès | 10ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3.15V ~ 3.45V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 208-BFQFP |
Package d'appareils du fournisseur | 208-PQFP (28x28) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V657S10DRG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 70V657S10DRG-FT |
70V3569S4BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S5BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S5BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S5BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S5BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S6BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S6BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S5BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S5BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S6BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel