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70V639S12BCI8 Image

IDT, Integrated Device Technology Inc 70V639S12BCI8

Numéro de pièce MFG
70V639S12BCI8
quantité disponible
55870 Pièces
Prix de référence
USD 65.56032
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
IDT, Integrated Device Technology Inc
Brève description
- IC SRAM 2.25M PARALLEL 256CABGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Mémoire
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
70V639S12BCI8.pdf
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70V639S12BCI8 Caractéristiques

Référence fabricant 70V639S12BCI8
Numéro de pièce future FT-70V639S12BCI8
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
70V639S12BCI8 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de mémoire SRAM
La technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous
Taille mémoire 2.25Mb (128K x 18)
Fréquence d'horloge -
Ecrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12ns
Interface mémoire Parallel
Tension - Alimentation 3.15V ~ 3.45V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 256-LBGA
Package d'appareils du fournisseur 256-CABGA (17x17)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
70V639S12BCI8 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange 70V639S12BCI8-FT

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