maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 70V3599S133DR
Référence fabricant | 70V3599S133DR |
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Numéro de pièce future | FT-70V3599S133DR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
70V3599S133DR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Taille mémoire | 4.5Mb (128K x 36) |
Fréquence d'horloge | 133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 4.2ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3.15V ~ 3.45V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 208-BFQFP |
Package d'appareils du fournisseur | 208-PQFP (28x28) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V3599S133DR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 70V3599S133DR-FT |
70V657S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S15BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S15BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S10BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S10BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
EPF8820ATC144-3
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EP4SE360F35C4
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XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
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EP1S25F1020I6N
Intel