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Référence fabricant | 70T659S12DR |
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Numéro de pièce future | FT-70T659S12DR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
70T659S12DR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Taille mémoire | 4.5Mb (128K x 36) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
Temps d'accès | 12ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.4V ~ 2.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 208-BFQFP |
Package d'appareils du fournisseur | 208-PQFP (28x28) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T659S12DR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 70T659S12DR-FT |
70V631S12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S15BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S15BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S10BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S10BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel