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Référence fabricant | 70T659S10BC8 |
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Numéro de pièce future | FT-70T659S10BC8 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
70T659S10BC8 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Taille mémoire | 4.5Mb (128K x 36) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ns |
Temps d'accès | 10ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.4V ~ 2.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 256-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 256-CABGA (17x17) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T659S10BC8 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 70T659S10BC8-FT |
IDT71V256SA20YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S15BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3319S133BCGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T659S12BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T633S10BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel