maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 70T633S10BC
Référence fabricant | 70T633S10BC |
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Numéro de pièce future | FT-70T633S10BC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
70T633S10BC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Taille mémoire | 9Mb (512K x 18) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ns |
Temps d'accès | 10ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.4V ~ 2.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 256-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 256-CABGA (17x17) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T633S10BC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 70T633S10BC-FT |
IDT7164S20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164S35YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164S35YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164S35YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164S35YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc