maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 70T3599S200BC8
Référence fabricant | 70T3599S200BC8 |
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Numéro de pièce future | FT-70T3599S200BC8 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
70T3599S200BC8 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Taille mémoire | 4.5Mb (128K x 36) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 3.4ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.4V ~ 2.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 256-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 256-CABGA (17x17) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T3599S200BC8 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 70T3599S200BC8-FT |
IDT7164LS20Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164LS20Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164S20Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164S20Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164S20YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164S20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164S35YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164S35YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164S35YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164S35YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
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EPF10K30EFC256-3
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LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel