maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 70T3519S200BCG
Référence fabricant | 70T3519S200BCG |
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Numéro de pièce future | FT-70T3519S200BCG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
70T3519S200BCG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Taille mémoire | 9Mb (256K x 36) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 3.4ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.4V ~ 2.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 256-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 256-CABGA (17x17) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T3519S200BCG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 70T3519S200BCG-FT |
70V3319S166BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3319S166BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3319S166BCG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3379S4BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3379S4BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3379S4BCG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3379S6BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3379S6BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3389S4BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3389S4BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel