maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 70T3519S133DRI
Référence fabricant | 70T3519S133DRI |
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Numéro de pièce future | FT-70T3519S133DRI |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
70T3519S133DRI Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Taille mémoire | 9Mb (256K x 36) |
Fréquence d'horloge | 133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 4.2ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.4V ~ 2.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 208-BFQFP |
Package d'appareils du fournisseur | 208-PQFP (28x28) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T3519S133DRI Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 70T3519S133DRI-FT |
70V3579S6BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S6BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S133BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S166BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S166BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3599S133BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3599S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3599S166BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3599S166BFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation