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70T3339S200BCG Image

IDT, Integrated Device Technology Inc 70T3339S200BCG

Numéro de pièce MFG
70T3339S200BCG
quantité disponible
92050 Pièces
Prix de référence
USD 123.724
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
IDT, Integrated Device Technology Inc
Brève description
- IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Mémoire
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
70T3339S200BCG.pdf
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70T3339S200BCG Caractéristiques

Référence fabricant 70T3339S200BCG
Numéro de pièce future FT-70T3339S200BCG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
70T3339S200BCG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de mémoire SRAM
La technologie SRAM - Dual Port, Synchronous
Taille mémoire 9Mb (512K x 18)
Fréquence d'horloge 200MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 3.4ns
Interface mémoire Parallel
Tension - Alimentation 2.4V ~ 2.6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 256-LBGA
Package d'appareils du fournisseur 256-CABGA (17x17)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
70T3339S200BCG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange 70T3339S200BCG-FT

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