maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 7007S20G
Référence fabricant | 7007S20G |
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Numéro de pièce future | FT-7007S20G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
7007S20G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 20ns |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 68-BPGA |
Package d'appareils du fournisseur | 68-PGA (29.46x29.46) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7007S20G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 7007S20G-FT |
S29GL512T10FAI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10FAI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10FHI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10FHI023
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S29GL512T10FHI030
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10FHI033
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10FHI040
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S29GL512T11DHB010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T11DHB013
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S29GL512T11DHB020
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A54SX08A-PQG208A
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M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
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5AGXMA5D4F27I5N
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XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
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10AX090R2F40E2SG
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EP4CGX110DF31C8
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EP2S180F1508C5
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