maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 7006S55GB
Référence fabricant | 7006S55GB |
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Numéro de pièce future | FT-7006S55GB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
7006S55GB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Taille mémoire | 128Kb (16K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 68-BPGA |
Package d'appareils du fournisseur | 68-PGA (29.46x29.46) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7006S55GB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 7006S55GB-FT |
S29GL01GT13TFNV23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL02GS12TFSR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL02GS12YPCR29
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10FAI010
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S29GL512T10FAI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10FAI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10FAI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10FHI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10FHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10FHI030
Cypress Semiconductor Corp
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
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EP4CE15F17A7N
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ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel