maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / 6N139SDV
Référence fabricant | 6N139SDV |
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Numéro de pièce future | FT-6N139SDV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
6N139SDV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 2500Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 500% @ 1.6mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 1.5µs, 7µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Darlington with Base |
Tension - Sortie (Max) | 18V |
Courant - Sortie / Canal | 60mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.3V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 20mA |
Vce Saturation (Max) | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6N139SDV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6N139SDV-FT |
FOD617A3S
ON Semiconductor
FOD617A3SD
ON Semiconductor
CNY17F4VM
ON Semiconductor
CNY17F4M
ON Semiconductor
CNY17F3M
ON Semiconductor
CNY17F2M
ON Semiconductor
CNY17F1SM
ON Semiconductor
CNY174SVM
ON Semiconductor
CNY17F1M
ON Semiconductor
CNY174M
ON Semiconductor
A3P125-TQ144
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-L1FFG484C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-FG484I
Microsemi Corporation
10M40DAF484C8G
Intel
EP3C55U484C7N
Intel
EP20K200FC484-2XV
Intel
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
LFE2M50E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1508C5N
Intel