maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / 6N1135-X006
Référence fabricant | 6N1135-X006 |
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Numéro de pièce future | FT-6N1135-X006 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
6N1135-X006 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5300Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 7% @ 16mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 300ns, 300ns |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 15V |
Courant - Sortie / Canal | 8mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.6V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 25mA |
Vce Saturation (Max) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 8-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6N1135-X006 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6N1135-X006-FT |
4N303S
ON Semiconductor
4N303SD
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Vishay Semiconductor Opto Division
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Microchip Technology
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XC3SD1800A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-FGG256I
Microsemi Corporation
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EP1K100FC256-1N
Intel
EP2AGX95DF25I3N
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XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
EP4SGX180HF35I3
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