maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 6A10B-G
Référence fabricant | 6A10B-G |
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Numéro de pièce future | FT-6A10B-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
6A10B-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 6A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | R6, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | R-6 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6A10B-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6A10B-G-FT |
1N5818-B
Diodes Incorporated
FR106-T
Diodes Incorporated
FR107-T
Diodes Incorporated
HER101-T
Diodes Incorporated
HER102-T
Diodes Incorporated
HER103-T
Diodes Incorporated
HER104-T
Diodes Incorporated
HER105-T
Diodes Incorporated
PR1001GL-T
Diodes Incorporated
PR1001L-T
Diodes Incorporated
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
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EP4SE530H40I3
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XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel