Référence fabricant | 6A08-G |
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Numéro de pièce future | FT-6A08-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
6A08-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 6A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | R6, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | R-6 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6A08-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6A08-G-FT |
PR1002GL-T
Diodes Incorporated
PR1002L-T
Diodes Incorporated
PR1003GL-T
Diodes Incorporated
PR1003L-T
Diodes Incorporated
PR1004GL-T
Diodes Incorporated
PR1004L-T
Diodes Incorporated
PR1005GL-T
Diodes Incorporated
PR1005L-T
Diodes Incorporated
PR1006GL-T
Diodes Incorporated
PR1007G-T
Diodes Incorporated
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel