Référence fabricant | 6A02-G |
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Numéro de pièce future | FT-6A02-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
6A02-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 6A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | R6, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | R-6 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6A02-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6A02-G-FT |
HER103-T
Diodes Incorporated
HER104-T
Diodes Incorporated
HER105-T
Diodes Incorporated
PR1001GL-T
Diodes Incorporated
PR1001L-T
Diodes Incorporated
PR1002GL-T
Diodes Incorporated
PR1002L-T
Diodes Incorporated
PR1003GL-T
Diodes Incorporated
PR1003L-T
Diodes Incorporated
PR1004GL-T
Diodes Incorporated
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel