Référence fabricant | 6A01-G |
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Numéro de pièce future | FT-6A01-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
6A01-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 6A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | R6, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | R-6 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6A01-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6A01-G-FT |
HER101-T
Diodes Incorporated
HER102-T
Diodes Incorporated
HER103-T
Diodes Incorporated
HER104-T
Diodes Incorporated
HER105-T
Diodes Incorporated
PR1001GL-T
Diodes Incorporated
PR1001L-T
Diodes Incorporated
PR1002GL-T
Diodes Incorporated
PR1002L-T
Diodes Incorporated
PR1003GL-T
Diodes Incorporated
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel