maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / 66CNQ200SM
Référence fabricant | 66CNQ200SM |
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Numéro de pièce future | FT-66CNQ200SM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
66CNQ200SM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1.5mA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | PRM3-SM |
Package d'appareils du fournisseur | PRM3-SM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
66CNQ200SM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 66CNQ200SM-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
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Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP3C55F780I7N
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