maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 6116SA120TDB
Référence fabricant | 6116SA120TDB |
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Numéro de pièce future | FT-6116SA120TDB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
6116SA120TDB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 16Kb (2K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 120ns |
Temps d'accès | 120ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 24-CDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116SA120TDB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6116SA120TDB-FT |
MX25U51245GMI0A
Macronix
MX25U51245GXDI0A
Macronix
MX29F040CTC-70G
Macronix
MX29F040CTC-90G
Macronix
MX29F200CBMC-70G
Macronix
MX29F200CBMC-90G
Macronix
MX29GL256FDXGI-11G
Macronix
MX29GL256FUXGI-11G
Macronix
MX29LV040CT2I-90G
Macronix
MX29LV400CBXBC-70G
Macronix
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel