maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 6116LA55TDB
Référence fabricant | 6116LA55TDB |
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Numéro de pièce future | FT-6116LA55TDB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
6116LA55TDB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 16Kb (2K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 24-CDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116LA55TDB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6116LA55TDB-FT |
M34M02-DXCT2TP/K
STMicroelectronics
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