maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 6116LA35TDB
Référence fabricant | 6116LA35TDB |
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Numéro de pièce future | FT-6116LA35TDB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
6116LA35TDB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 16Kb (2K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 35ns |
Temps d'accès | 35ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 24-CDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116LA35TDB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6116LA35TDB-FT |
70V26L25G
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S4BFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
M34M02-DXCT2TP/K
STMicroelectronics
MX25R8035FBEIHH
Macronix
MX25U51245GMI
Macronix
MX25U51245GMI0A
Macronix
MX25U51245GXDI0A
Macronix
MX29F040CTC-70G
Macronix
MX29F040CTC-90G
Macronix
MX29F200CBMC-70G
Macronix
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel