maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 6116LA20TDB
Référence fabricant | 6116LA20TDB |
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Numéro de pièce future | FT-6116LA20TDB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
6116LA20TDB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 16Kb (2K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 20ns |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 24-CDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116LA20TDB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6116LA20TDB-FT |
S29GL256S90GHI020
Cypress Semiconductor Corp
70T3339S133BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L25G
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S4BFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
M34M02-DXCT2TP/K
STMicroelectronics
MX25R8035FBEIHH
Macronix
MX25U51245GMI
Macronix
MX25U51245GMI0A
Macronix
MX25U51245GXDI0A
Macronix
MX29F040CTC-70G
Macronix
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel