maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 602-20012
Référence fabricant | 602-20012 |
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Numéro de pièce future | FT-602-20012 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
602-20012 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 128Kb (16K x 8) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | 400ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
602-20012 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 602-20012-FT |
GD25Q127CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel