maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 602-20011
Référence fabricant | 602-20011 |
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Numéro de pièce future | FT-602-20011 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
602-20011 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 4Kb (512 x 8) |
Fréquence d'horloge | 2MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 6ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
602-20011 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 602-20011-FT |
GD25Q20CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation