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Référence fabricant | 6000-3R3M-RC |
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Numéro de pièce future | FT-6000-3R3M-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 6000 |
6000-3R3M-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 3.3µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 5.5A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 25 mOhm Max |
Q @ Freq | 20 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 79MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.354" Dia (9.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.480" (12.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6000-3R3M-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6000-3R3M-RC-FT |
1120-150K
Bourns Inc.
1120-180K
Bourns Inc.
1120-181K
Bourns Inc.
1120-182K
Bourns Inc.
1120-1R0M
Bourns Inc.
1120-1R2M
Bourns Inc.
1120-1R5M
Bourns Inc.
1120-1R8M
Bourns Inc.
1120-220K
Bourns Inc.
1120-222K
Bourns Inc.
A1425A-PQ100I
Microsemi Corporation
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
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