maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / 5LN01SP
Référence fabricant | 5LN01SP |
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Numéro de pièce future | FT-5LN01SP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
5LN01SP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 50V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 Ohm @ 50mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.57nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6.6pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 250mW (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | 3-SPA |
Paquet / caisse | SC-72 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
5LN01SP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 5LN01SP-FT |
NVMFS5C468NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C604NLAFT3G
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EP4CGX50CF23C7
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5CGXFC4C7U19C8N
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