maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / 562RBD102AH103ZA83
Référence fabricant | 562RBD102AH103ZA83 |
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Numéro de pièce future | FT-562RBD102AH103ZA83 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Cera-Mite 562R |
562RBD102AH103ZA83 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 10000pF |
Tolérance | ±10% |
Tension - nominale | 1000V (1kV) |
Coéfficent de température | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Caractéristiques | - |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Disc |
Taille / Dimension | - |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | - |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | Straight |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
562RBD102AH103ZA83 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 562RBD102AH103ZA83-FT |
561R1DF0Q27
Vishay Cera-Mite
561R1DF0Q33
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561R1DF0T12
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561R1DF0T15
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XC7S50-L1FTGB196I
Xilinx Inc.
M2GL050T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3E2H29I2L
Intel
XC4VFX60-10FF672I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3SG
Intel
EP1S80F1508C6N
Intel
EPF6024AQC208-2N
Intel