maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / 55GN01MA-TL-E
Référence fabricant | 55GN01MA-TL-E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-55GN01MA-TL-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
55GN01MA-TL-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 10V |
Fréquence - Transition | 4.5GHz ~ 5.5GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.9dB @ 1GHz |
Gain | 10dB @ 1GHz |
Puissance - Max | 400mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 70mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | 3-MCP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
55GN01MA-TL-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 55GN01MA-TL-E-FT |
2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
MT3S111(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4915-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5066-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5096-R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5108-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
M7AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C7N
Intel
5SGXEB6R2F40C3
Intel
XC2VP30-6FF896I
Xilinx Inc.
XC7S6-1CSGA225C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290FF35C3N
Intel