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Référence fabricant | 55GDMSJD20E |
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Numéro de pièce future | FT-55GDMSJD20E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
55GDMSJD20E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de fusible | Cartridge |
Note actuelle | 20A |
Tension nominale - AC | 5.5kV |
Tension nominale - DC | - |
Temps de réponse | - |
Applications | - |
Caractéristiques | - |
Classe | - |
Approbations | - |
Température de fonctionnement | - |
Capacité de coupure à la tension nominale | 40kA |
Type de montage | Holder |
Paquet / caisse | Cartridge, Non-Standard |
Taille / Dimension | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
55GDMSJD20E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 55GDMSJD20E-FT |
170M3961
Eaton - Bussmann Electrical Division
170M3975
Eaton - Bussmann Electrical Division
170M5804
Eaton - Bussmann Electrical Division
170M5805
Eaton - Bussmann Electrical Division
170M5807
Eaton - Bussmann Electrical Division
170M6087
Eaton - Bussmann Electrical Division
170M6125
Eaton - Bussmann Electrical Division
170M6277
Eaton - Bussmann Electrical Division
170M6303
Eaton - Bussmann Electrical Division
170M6587
Eaton - Bussmann Electrical Division
XC6SLX100-3FGG676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FGG484
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1DQC
Microchip Technology
5SGSMD6K2F40I2N
Intel
XC2V8000-4FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-3PL84
Microsemi Corporation
A42MX09-3TQ176I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX110DF29C2XN
Intel