maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / 53J7R5E
Référence fabricant | 53J7R5E |
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Numéro de pièce future | FT-53J7R5E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 50 |
53J7R5E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 7.5 Ohms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 3W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | - |
Coéfficent de température | ±50ppm/°C |
Température de fonctionnement | - |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.220" Dia x 0.551" L (5.60mm x 14.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
53J7R5E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 53J7R5E-FT |
WNC75RFET
Ohmite
WHC75RFET
Ohmite
WHC750FET
Ohmite
WNC750FET
Ohmite
WNC5R0FET
Ohmite
WHC5R0FET
Ohmite
WHC560FET
Ohmite
WHC51RFET
Ohmite
WNC51RFET
Ohmite
WNC470FET
Ohmite
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XC7A25T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-1
Intel
5SGXEA5K2F40I2N
Intel
5CEFA7M15I7N
Intel
XC7A35T-2CPG236I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP1S80F1508I7
Intel