maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / 517D688M010EN6AE3
Référence fabricant | 517D688M010EN6AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-517D688M010EN6AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 517D |
517D688M010EN6AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 6800µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 10V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 1.61A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 1.852A @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.295" (7.50mm) |
Taille / Dimension | 0.630" Dia (16.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.240" (31.50mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
517D688M010EN6AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 517D688M010EN6AE3-FT |
861111483009
Wurth Electronics Inc.
861111483010
Wurth Electronics Inc.
861111484011
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861111484012
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861111484013
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861111484014
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861111484015
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861111484016
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861111484017
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861111484018
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XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FG484I
Xilinx Inc.
AGL400V2-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P400-1PQ208
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP2SGX90EF1152C4ES
Intel
XC2V3000-5FF1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K600CB652C7
Intel