maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / 517D475M200CC6AE3
Référence fabricant | 517D475M200CC6AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-517D475M200CC6AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 517D |
517D475M200CC6AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 4.7µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 200V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 50mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 80mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.197" (5.00mm) |
Taille / Dimension | 0.394" Dia (10.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.492" (12.50mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
517D475M200CC6AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 517D475M200CC6AE3-FT |
861111485023
Wurth Electronics Inc.
861111485024
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861111485026
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861111485027
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861111485029
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861111485030
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861111486031
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861111486032
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LFE2-6SE-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
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Microsemi Corporation
P1AFS1500-2FGG484I
Microsemi Corporation
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Intel
XC5VLX155T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F35I5G
Intel
EP4SGX180FF35C3N
Intel