maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / 517D227M200FV6AE3
Référence fabricant | 517D227M200FV6AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-517D227M200FV6AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 517D |
517D227M200FV6AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 220µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 200V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 515mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 824mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.295" (7.50mm) |
Taille / Dimension | 0.709" Dia (18.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.575" (40.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
517D227M200FV6AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 517D227M200FV6AE3-FT |
861111484017
Wurth Electronics Inc.
861111484018
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861111484020
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861111485025
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861111485026
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XC3S100E-5VQG100C
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M2GL010-VFG256I
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A40MX04-PL68
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A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C8N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
LFX200B-03F256C
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LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
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