maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / 517D108M100FV6AE3
Référence fabricant | 517D108M100FV6AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-517D108M100FV6AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 517D |
517D108M100FV6AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 1000µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 100V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 1.32A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 1.518A @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.295" (7.50mm) |
Taille / Dimension | 0.709" Dia (18.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.575" (40.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
517D108M100FV6AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 517D108M100FV6AE3-FT |
861111486036
Wurth Electronics Inc.
861111486037
Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
861111486039
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TVA1306
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A3PE3000L-1FG484
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Microsemi Corporation
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Intel
5SGXEA9K3H40I3L
Intel
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2SGES
Intel