maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / 517D108M010CD6AE3
Référence fabricant | 517D108M010CD6AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-517D108M010CD6AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 517D |
517D108M010CD6AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 1000µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 10V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 570mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 655.5mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.197" (5.00mm) |
Taille / Dimension | 0.394" Dia (10.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.630" (16.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
517D108M010CD6AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 517D108M010CD6AE3-FT |
861221486020
Wurth Electronics Inc.
861221486021
Wurth Electronics Inc.
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861140783006
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861140784012
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861141084008
Wurth Electronics Inc.
861141085015
Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
XC4006E-1TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX32-1TQG144I
Microsemi Corporation
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Intel
EP20K200FC484-2XV
Intel
5SGXEABN1F45C2N
Intel
5SEEBH40I3N
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC6E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME3H2F35I3LN
Intel