maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / 516D335M050JL7BE3
Référence fabricant | 516D335M050JL7BE3 |
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Numéro de pièce future | FT-516D335M050JL7BE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 516D |
516D335M050JL7BE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 3.3µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 50V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 28mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 56mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | - |
Taille / Dimension | 0.197" Dia x 0.472" L (5.00mm x 12.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
516D335M050JL7BE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 516D335M050JL7BE3-FT |
39D505F300EE6
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Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A54SX32A-FGG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40I3
Intel
EP2AGX125DF25C6N
Intel
A42MX09-1TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160I
Microsemi Corporation
A3P1000-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29I5N
Intel