maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / 515D475M350CD6AE3
Référence fabricant | 515D475M350CD6AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-515D475M350CD6AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 515D |
515D475M350CD6AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 4.7µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 350V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 40mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 64mA @ 10kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.197" (5.00mm) |
Taille / Dimension | 0.394" Dia (10.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.630" (16.00mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
515D475M350CD6AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 515D475M350CD6AE3-FT |
515D475M063JA6AE3
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XC7K160T-1FFG676C
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XC7A50T-1CSG324C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60F1508C6N
Intel
5SGSMD4H1F35C2N
Intel