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Référence fabricant | 511BBA200M000BAGR |
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Numéro de pièce future | FT-511BBA200M000BAGR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Si511 |
511BBA200M000BAGR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Crystal |
La fréquence | XO (Standard) |
Une fonction | 200MHz |
Sortie | Enable/Disable |
Tension - Alimentation | LVDS |
Stabilité de fréquence | 3.3V |
Gamme de traction absolue (APR) | ±25ppm |
Température de fonctionnement | - |
Courant - Alimentation (Max) | -40°C ~ 85°C |
Évaluations | 23mA |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | Surface Mount |
Taille / Dimension | 6-SMD, No Lead |
Hauteur - assis (max) | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) |
0.050" (1.28mm) | |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
511BBA200M000BAGR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 511BBA200M000BAGR-FT |
510BBA000149AAG
Silicon Labs
510ABA000149AAG
Silicon Labs
511ABA74M2500AAG
Silicon Labs
511FBA000149BAG
Silicon Labs
510BBA74M2500BAG
Silicon Labs
511ABA000110BAG
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511BBA212M500BAG
Silicon Labs
510BBA106M250AAG
Silicon Labs
511FBA106M250AAG
Silicon Labs
510FBA200M000AAG
Silicon Labs
XC7A35T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AFS1500-1FGG484K
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQ208
Microsemi Corporation
EP3C40U484C6
Intel
EP2AGZ300HF40C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100
Microsemi Corporation
A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3LG
Intel
EP2SGX30CF780C3N
Intel
EP4SGX230FF35I4N
Intel