maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / 4N35S(TA)
Référence fabricant | 4N35S(TA) |
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Numéro de pièce future | FT-4N35S(TA) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
4N35S(TA) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 100% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 10µs, 9µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 300mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N35S(TA) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 4N35S(TA)-FT |
EL817(S1)(D)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TB)
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XC4010E-3PQ208I
Xilinx Inc.
EP1SGX10DF672C5N
Intel
5SGXMB5R2F43I3LN
Intel
A42MX16-3PQG100
Microsemi Corporation
LFXP10E-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel
10AX115U4F45E3SG
Intel
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Intel