maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / 4N35SR2M
Référence fabricant | 4N35SR2M |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-4N35SR2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
4N35SR2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 4170Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 100% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 2µs, 2µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 30V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.18V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 300mV |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 100°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N35SR2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 4N35SR2M-FT |
MCT5210SM
ON Semiconductor
MCT5210M
ON Semiconductor
MCT5201SM
ON Semiconductor
MCT5201M
ON Semiconductor
MCT2EM
ON Semiconductor
MCT210M
ON Semiconductor
MCT4
ON Semiconductor
MCT4R
ON Semiconductor
HMHA2801
ON Semiconductor
HMHA281
ON Semiconductor
EP3C16U484C8N
Intel
10M08DAF484C8G
Intel
EP3C55F484C6
Intel
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB5G4F35I5N
Intel
EP20K1000CB652C8
Intel
EP4SGX290FF35I3
Intel