maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / 4N32S(TA)-V
Référence fabricant | 4N32S(TA)-V |
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Numéro de pièce future | FT-4N32S(TA)-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
4N32S(TA)-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 500% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 5µs, 100µs (Max) |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Darlington with Base |
Tension - Sortie (Max) | 55V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N32S(TA)-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 4N32S(TA)-V-FT |
EL817(S1)(B)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)-G
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EL817(S1)(B)(TB)-V
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EL817(S1)(B)(TB)-VG
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EL817(S1)(C)(TA)
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EL817(S1)(C)(TA)-G
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EL817(S1)(C)(TA)-VG
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EL817(S1)(C)(TB)
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EL817(S1)(C)(TB)-G
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EPF10K10TC144-3N
Intel
A1010B-PQG100I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PQG100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG240I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E2H29C1N
Intel
XC5VLX220-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FBG484I
Xilinx Inc.
EPF6016AQI208-2
Intel
EP4SGX360HF35C4N
Intel