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Toshiba Semiconductor and Storage 4N32(SHORT,F)

Numéro de pièce MFG
4N32(SHORT,F)
quantité disponible
56270 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 6DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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4N32(SHORT,F) Caractéristiques

Référence fabricant 4N32(SHORT,F)
Numéro de pièce future FT-4N32(SHORT,F)
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
4N32(SHORT,F) Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Nombre de canaux 1
Tension - Isolement 2500Vrms
Ratio de transfert actuel (min) 500% @ 10mA
Ratio de transfert actuel (max) -
Activer / Désactiver le temps (Typ) 5µs, 100µs (Max)
Temps de montée / descente (type) -
Type d'entrée DC
Le type de sortie Darlington with Base
Tension - Sortie (Max) 30V
Courant - Sortie / Canal 100mA
Tension - Forward (Vf) (Typ) 1.15V
Courant - DC Forward (Si) (Max) 80mA
Vce Saturation (Max) 1V
Température de fonctionnement -55°C ~ 100°C
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Package d'appareils du fournisseur 6-DIP
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
4N32(SHORT,F) Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange 4N32(SHORT,F)-FT

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