maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / 4N30S(TA)
Référence fabricant | 4N30S(TA) |
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Numéro de pièce future | FT-4N30S(TA) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
4N30S(TA) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 100% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 5µs, 40µs (Max) |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Darlington with Base |
Tension - Sortie (Max) | 55V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N30S(TA) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 4N30S(TA)-FT |
EL817(S)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TB)-VG
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EL817(S1)(A)(TA)
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EL817(S1)(A)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
XCV200E-7FG256C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6010H-2QI
Microchip Technology
5SGSMD5K3F40I4N
Intel
5SGXMABK3H40I3N
Intel
5SGXEA7H3F35C3N
Intel
XC5VLX155T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FGG144
Microsemi Corporation
EP20K300EBI652-2X
Intel
EP1K100QC208-3
Intel